2021-10-16 19:48:44 Find the results of "

德州仪器公司间介

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Enabling high voltage quality and reliability.

德州仪器 (ti) 最新开发的制造工艺可在电容电路 中提供增强的信号隔离,该电容电路使用二氧化硅 (sio 2)(一种基本的片上绝缘)作为电介质。因此 隔离电路可以与其他电路一起集成在同一芯片上。 该工艺是 ti 用于保护高压、高频信号传递、基于电

德州仪器谈物联网的发展-电子工程世界 - EEWorld

德州仪器谈物联网的发展. 物联网(IoT)正在快速发展。. 我们需要知道在实现水平和垂直应用平衡方面存在的挑战,以及在2020年实现500亿设备联网目标所要求的一些基础。. Jim Chase在高技术行业工作了超过27年,他的全部工作就是与客户一起,帮助他们站在技术 ...

德州仪器往事_半导体 - sohu.com

如今的德州仪器已经逐渐被大多数人遗忘,可要知道在德州仪器红火的时候世界上还没有英特尔和高通的名字。 在过去的89年中,德州仪器经历了太多不为人知的事情,这个名字不应被历史所遗忘,接下来五矩研究社带你揭开这个被时光尘封的名字。

终于有人把CMOS、SOI和FinFET技术史梳理清楚了 - 云+社区 - 腾讯云

终于有人把CMOS、SOI和FinFET技术史梳理清楚了. 1958年,第一个集成电路触发器是在德州仪器由两个晶体管构建而成。. 而今天的芯片包含超过10亿个晶体管,这种增长的规模来自于晶体管的不断缩小以及硅制造工艺的改进。. 真空管的发明是电子工业发展的重要动力 ...

音频DAC解码芯片浅谈(除ESS和AKM外 ... - 知乎专栏

Burr Brown(布尔 布朗)公司隶属于半导体业界著名的重量级厂家德州仪器公司(TI),其最为人熟知的DAC芯片莫过于PCM1704。 众多Hi End厂家都对其大加赞赏,其中包括不少坚持传统两声道的Hi End厂家,如Mark Levinson最顶级的解码器NO.360(4495美元)就采用了PCM1704。

DRAM技术发展史年表下载_Word模板 - 爱问共享资料

DRAM技术发展史年表1959年美国德州仪器TI公司Kilby在一块Ge衬底上做成两个以上的晶体管标志着世界上第一块集成电路的诞生1960年HHLoor和ECastellani发明了光刻工艺1963年FMWanlass和CTSah首次提出CMOS技术今天95以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺1968年IBM的RHDennard发明了DRAM的核心记忆单位1T1C1个晶体管搭配 ...

Tina-TI电路仿真初体验(德州仪器电路仿真软件)_Chiva Studio-CSDN博...

Tina-TI(德州仪器电路仿真软件) 是重要的现代化EDA软件之一, 用于模拟及数字电路的仿真分析。 其研发者是欧洲DesignSoft Kft.公司, 大约流行四十多个国家,并有二十余种不同语言的版本, 其中包括中文版,大约含有两万多个分立或集成 电路 元器件。

CCD(电荷耦合元件)_百度百科 - Baidu Baike

CCD 是指电荷耦合器件,是一种用电荷量表示信号大小,用耦合方式传输信号的探测元件,具有自扫描、感受波谱范围宽、畸变小、体积小、重量轻、系统噪声低、功耗小、寿命长、可靠性高等一系列优点,并可做成集成度非常高的组合件。电荷耦合器件(CCD)是20世纪70年代初发展起来的一种新型 ...

美国ABM光刻机、CEE匀胶热板显影设备、纳米压印设备、超高真空溅射蒸...

Cee®BenchTop 系列匀胶、热板(烤胶)产品具有以下特点,产品 广泛应用于半导体工艺、MEMS工艺、薄膜工艺、芯片堆叠、传感器工艺及先进封装领域。. 精确转速控制及可重复性(小于0.2rpm). 精确温度控制(温度均匀性 : 0.3%). 可重复性、及稳定性(马达旋涂 ...

先进封装技术及其封装材料 - 豆丁网 - Docin.com

金属介质膜将被电常数3.5—4.0的介质取代;而在 0.13um时代,介质膜的电常数将降至2.9-3.5. 作为金属间介电绝缘膜,必须满足下述的12个基本要求:1)400。